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透射電鏡高傾角冷凍傳輸系統(tǒng)以創(chuàng)新設(shè)計(jì)及加工工藝，在TEM內(nèi)搭建液氮冷凍模塊，可在超低溫條件下觀察樣品原位相變等關(guān)鍵信息?？蓽p少樣品污染和電子束損傷，減少熱效應(yīng)，有助EDS、EELS等分析。

掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場控制，在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場自動(dòng)控制及反饋測量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種測試模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

掃描電鏡液體熱電原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室，通過MEMS芯片對(duì)薄層或納米電 池系統(tǒng)施加熱場和電信號(hào)等，結(jié)合使用EDS等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測電極、電解液及其界面在液氛 環(huán)境中隨溫度、電信號(hào)變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、化學(xué)變化、表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

透射電鏡4孔樣品桿可將最多4個(gè)樣品同時(shí)置入透射電鏡中，與市面常見的3孔樣品桿相比，大幅提高透射電鏡的使用效率。全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及超高精度的旋鈕換樣方式，幫助降低漂移率，提高成像質(zhì)量。

透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統(tǒng)通過納米探針對(duì)樣品施加電場控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨電場變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

透射電鏡力電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場自動(dòng)控制及反饋測量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測樣品在真空環(huán)境下隨電場、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。