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簡(jiǎn)要描述：透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加力學(xué)、電場(chǎng)、熱場(chǎng)控制，在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度、電場(chǎng)、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2023-12-27訪 問 量： 1802產(chǎn)品分類
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1．高精度壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)，納米級(jí)別精度數(shù)字化精確定位。
2．實(shí)現(xiàn)1000℃加熱條件下壓縮、拉伸、彎曲等微觀力學(xué)性能測(cè)試。
3．nN級(jí)力學(xué)測(cè)量噪音。
4．具備連續(xù)的載荷-位移-時(shí)間數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)自動(dòng)收集功能。
5．具備恒定載荷、恒定位移、循環(huán)加載控制功能，適用于材料的蠕變特性、應(yīng)力松弛、疲勞性能研究。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1．高精密紅外測(cè)溫校正，微米級(jí)高分辨熱場(chǎng)測(cè)量及校準(zhǔn)，確保溫度的準(zhǔn)確性。
2．超高頻控溫方式，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測(cè)量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。
3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系，加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.1℃。
4．采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃。
5．多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì)，控制加熱過程熱擴(kuò)散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。
優(yōu)異的電學(xué)性能
1．芯片表面的保護(hù)性涂層保證電學(xué)測(cè)量的低噪音和精確性，電流測(cè)量精度可達(dá)皮安級(jí)。
2．MEMS微加工特殊設(shè)計(jì)，同時(shí)加載電場(chǎng)、熱場(chǎng)、力學(xué)，相互獨(dú)立控制。
智能化軟件
1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制納米探針運(yùn)動(dòng)，自動(dòng)測(cè)量載荷-位移數(shù)據(jù)。
2．自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等，同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間，在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫，可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案，提升實(shí)驗(yàn)效率。
3．內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序，每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化，重新進(jìn)行曲線擬合和校正，確保測(cè)量溫度精確性，保證高溫實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。
| 類別 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
| 基本參數(shù) | 桿體材質(zhì) | 高強(qiáng)度鈦合金 |
| 控制方式 | 高精度壓電陶瓷 | |
| 傾轉(zhuǎn)角 | α≥±20°，傾轉(zhuǎn)分辨率＜0.1°（實(shí)際范圍取決于透射電鏡和極靴型號(hào)） | |
| 適用電鏡 | Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi | |
| 適用極靴 | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP | |
| (HR)TEM/STEM | 支持 | |
| (HR)EDS/EELS/SAED | 支持 |
600°C高溫下銅納米柱力學(xué)壓縮實(shí)驗(yàn)
以形狀尺寸微小或操作尺度極小為特征的微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)越來越受到人們的高度重視 , 對(duì)于尺度在 100μm 量級(jí)以下的樣品 , 會(huì)給常規(guī)的拉伸和壓縮試驗(yàn)帶來一系列的困難。納米壓縮實(shí)驗(yàn) , 由于在材料表面局部體積內(nèi)只產(chǎn)生很小的壓力 , 正逐漸成為微 / 納米尺度力學(xué)特性測(cè)量的主要工作方式。因此 , 開展微納米尺度下材料變形行為的實(shí)驗(yàn)研究十分必要。為了研究單晶面心立方材料的微納米尺度下變形行為 , 以納米壓縮實(shí)驗(yàn)為主要手段 , 分析了銅納米柱初始塑性變形行為和晶體缺陷對(duì)單晶銅初始塑性變形的影響。結(jié)果表明銅柱在納米壓縮過程中表現(xiàn)出更大程度的彈性變形。同時(shí)對(duì)壓縮周圍材料發(fā)生凸起的原因和產(chǎn)生的影響進(jìn)行了分析 , 認(rèn)為銅納米柱壓縮時(shí)周圍材料的凸起將導(dǎo)致納米硬度和測(cè)量的彈性模量值偏大。為了研究表面形貌的不均勻性對(duì)銅納米柱初始塑性變形行為的影響 , 通過加熱的方法 , 在銅納米柱表面制備得到納米級(jí)的表面缺陷 , 并對(duì)表面缺陷的納米壓縮實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析 , 結(jié)果表明表面缺陷的存在會(huì)極大影響銅納米柱初始塑性變形。通過透射電子顯微鏡 ,銅納米柱壓縮點(diǎn)周圍的位錯(cuò)形態(tài)進(jìn)行了觀察 , 除了觀察到納米壓縮周圍生成的位錯(cuò) , 還發(fā)現(xiàn)有層錯(cuò)、不全位錯(cuò)及位錯(cuò)環(huán)的共存。表明銅納米柱的初始塑性變形與位錯(cuò)的發(fā)生有密切的聯(lián)系。
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