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簡(jiǎn)要描述:掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制,在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
產(chǎn)品分類(lèi)
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高分辨率和可靠性
MEMS微加工工藝,加熱芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm,可達(dá)到掃描電鏡極限分辨率。
優(yōu)異的熱學(xué)性能
1.高精密紅外測(cè)溫校正,微米級(jí)高分辨熱場(chǎng)測(cè)量及校準(zhǔn),確保溫度的準(zhǔn)確性。
2.超高頻控溫方式,排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響,測(cè)量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。
3.采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系,加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域,升溫降溫速度快,熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻,穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.01℃。
4.采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01℃。
5.DUTE多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì),控制加熱過(guò)程熱擴(kuò)散,極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移,確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。
6.加熱絲外部由氮化硅包覆,不與樣品發(fā)生反應(yīng),確保實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性。
智能化軟件
1.人機(jī)分離,軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件,全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù),便于總結(jié)與回顧。
2.自定義程序升溫曲線??啥x10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等,同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間,在程序升溫過(guò)程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫,可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案,提升實(shí)驗(yàn)效率。
3.內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序,每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化,重新進(jìn)行曲線擬合和校正,確保測(cè)量溫度精確性,保證高溫實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。
類(lèi)別 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
基本參數(shù) | 臺(tái)體材質(zhì) | 高強(qiáng)度鈦合金 |
分辨率 | 掃描電鏡極限分辨率 | |
適用電鏡 | ZEISS、Thermo Fisher等主流電鏡 | |
EBSD/EDS | 支持 |
Synthetic scheme for thepreparation of ZIF-67 crystalsand GC
SEM images
ZIF-67 after heated
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